碳化硅

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4英寸SiC衬底片

眉山天乐半导体4英寸SiC衬底片产品标准
4-inch SiC Substrate Specification
序号
Item
等级
Grade
精选级(Z级)
Zero MPD Grade
工业级(P级)
Production Grade
测试级(D级)
Dummy Grade
1.晶体参数 Boule Parameters
1.1 晶型 Polytype4H-N
1.2表面晶向偏离度 Surface orientation errorOff axis:4.0°toward <11-20>±0.5°,On axis:<0001>±0.5°
2.电学参数 Electrical Parameters
2.1掺杂剂 DopantNitrogen
2.2电阻率 Resistivity0.015-0.028Ω·cm
3.机械参数 Mechanical Parameters
3.1直径 Diameter99.5mm-100.0mm
3.2厚度 Thickness350μm±15μm350μm±25μm
500μm±15μm500μm±25μm
3.3主定位边方向 Primary Flat Orientation
{10-10}±5°
3.4主定位边长度 Primary Flat Length32.5mm±2.0mm
3.5局部平整度 LTV≤2.5μm≤2.5μm≤5μm
3.6总厚度变化 TTV≤5μm≤5μm≤15μm
3.7弯曲度绝对值 BOW≤25μm≤25μm≤40μm
3.8翘区度 Warp≤25μm≤35μm≤60μm
3.9正面(硅面)粗糙度(AFM)Front (Si-face) RoughnessRa≤1nm
4.结构 Structure
4.1微管密度 Micropipe density≤0.1cm-2≤0.2cm-2≤15cm-2
4.3螺位错 TSD≤200cm-2≤500cm-2≤1000cm-2
4.4基平面位错 BPD≤400cm-2≤800cm-2/
4.5刃位错 TED≤2000cm-2≤4000cm-2/
5.正面质量 Front Quality
5.1表面处理 Surface finishCMP
5.2颗粒 Particle


5.3划痕 ScratchesNone
5.4缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contaminationNone
5.5多晶型 Polytype areasNoneNoneCumulative area ≤3%
5.6正面激光标记 Front marking
/
6.背面质量 Back Quality
6.1背面处理 Back finish
CMP
6.2背面划痕 ScaratchesNoneNoneCumulative length ≤1x wafer diameter
6.3背面缺口/崩边 Back defects edge chip/indentsNone
6.4背面粗糙度 Back roughnessRa≤0.2 mmRa≤0.2 mmRa≤0.5 mm
6.5背面激光标记 Back marking
距离边缘1mm ( from top edge)
7.边缘轮廓 Edge
7.1边缘轮廓 Edge exclusion3 mm
8.包装 Packaging
8.1激光标记 Laser Marking(carbon side)Carbon face
8.2包装 Packaging单片或25片包装
Notes: None means no request.


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